Турция увеличила импорт природного газа в январе 2024 году
30.03.2024
Японские физики нашли способ перевести уже известный материал KTaO3 в сверхпроводящее состояние.
Обычно задачу превращения полупроводников и диэлектриков в металлы или сверхпроводники решают химическим легированием — заменой атомов одного из элементов исходного соединения другими атомами с целью увеличения концентрации свободных носителей заряда n. К сожалению, химические методы далеко не всегда позволяют достичь нужной n.
Иногда в экспериментах применяют электростатическое легирование, которое также даёт возможность повысить концентрацию носителей. К примеру, в 2008 году объединённая группа учёных из Швейцарии, Франции и Германии показала, что сверхпроводимость границы раздела двух диэлектриков (LaAlO3/SrTiO3) в структуре обычного полевого транзистора легко «контролируется» с помощью электрического поля. Ограничение на n здесь задаётся напряжённостью поля (~106 В/см), при которой происходит пробой диэлектрика.
Более высокие значения напряжённости достижимы в схеме, которую называют транзистором с двойным электрическим слоем (electric double-layer transistror, EDLT). Это устройство во многом напоминает полевой транзистор, но роль затворного диэлектрика в нём отводится жидкому электролиту. Когда в жидкость помещают подготовленный образец, ионы из электролита скапливаются у поверхности полупроводникового канала и образуют двойной электрический слой, который действует подобно конденсатору на границе раздела твёрдой и жидкой фаз. В такой конфигурации физики, выполнявшие опыты с диэлектриком SrTiO3, сумели увеличить концентрацию носителей до ~1014 см–2 и зарегистрировали сверхпроводящее состояние SrTiO3 при Т = 0,4 К.
KTaO3 очень похож на SrTiO3: материалы имеют структуру перовскита и аналогичные зонные структуры. При температуре в ~10 К в схеме обычного полевого транзистора KTaO3 можно перевести в металлическое состояние, но сделать его сверхпроводником ещё никому не удавалось, хотя температуру пробовали опускать даже до 10 мК.
Схема и микрофотография EDLT на основе KTaO3 (здесь и далее иллюстрации из журнала Nature Nanotechnology).
Изготовленные авторами с использованием монокристаллов KTaO3 образцы EDLT в нормальных условиях демонстрировали отличные транзисторные характеристики, а концентрация носителей, достигнутая при охлаждении, примерно на порядок превышала величину, которой ограничены возможности химического легирования. Когда температура опустилась до 70 мК, учёные отметили уменьшение слоевого сопротивления, и через некоторое время, при 35 мК, оно стало нулевым. Как и любой другой сверхпроводник, KTaO3 выходил из состояния с отсутствующим сопротивлением, если экспериментаторы прикладывали магнитное поле (в нашем случае его напряжённость должна была превышать 5 Э).
Вероятно, с применением такой экспериментальной методики будет открыто ещё несколько сверхпроводящих материалов.
Результаты измерений для четырёх разных образцов EDLT при 100 К (выделены закрашенными кружками) и 2 К (незакрашенные кружки). Отдельно показаны данные по химически легированным кристаллам KTaO3.
Уменьшение слоевого сопротивления при охлаждении EDLT. Затворное напряжение VG здесь равняется 5 В.
Тема дня 15.04.2024
Тема дня 09.04.2024
Тема дня 09.04.2024
Тема дня 04.04.2024
Новости компаний 27.03.2024
Технологии 08.04.2024
Технологии 12.02.2024
Аналитика 02.12.2021
Технологии 31.07.2019
Чтобы оставить комментарий или выставить рейтинг, нужно Войти или Зарегистрироваться
Читайте также