Применение УЗИП класса I+II
13.06.2022
К настоящему времени наиболее широкое распространение получила технология планарных солнечных элементов, преобразующих прямое солнечное излучение. В связи с этим перед специалистами возникает задача по определению спектральных зависимостей и снятия вольтамперных характеристик функции заданной освещенности.
Сточки зрения развития солнечной фотоэнергетики у Беларуси схожие природно-климатические условия с Германией, страной, добившейся в решении данных проблем лидирующих позиций в Европе. Научные и технологические успехи в области прямого генерирования электроэнергии на основе солнечных элементов (СЭ) открыли реальную перспективу крупномасштабного применения этого практически неиссякаемого источника энергии в нашей республике. В немалой степени этому способствовала государственная поддержка в виде установления трехкратных повышающих коэффициентов для использования солнечных энергоисточников.
Принципиальная электрическая схема блока снятия ВАХ, входящего в состав измерительного комплекса приведена на рисунке 1.
Блок снятия ВАХ создан на основе микроконтроллера C8051F120. Управление осуществляется с помощью специализированного программного обеспечения с ПК. Установка позволяет регулировать мощность лампы и измерять температуру в процессе работы.
Построение ВАХ осуществляется заданием тока с через СЭ цепью, состоящей из источника опорного напряжения, цифро-аналогового преобразователя, операционного усилителя, полевого транзистора и нагрузочного резистора путем одновременного измерения тока и напряжения цифровыми мультиметрами, подключаемыми к блоку снятия ВАХ. Полярность подключения СЭ выбирается переключением реле. Время построения ВАХ по ста точкам составляет менее десяти секунд.
Результаты лабораторных испытаний для СЭ №1 размерами 125х125 мм приведены на рисунке 2.
Цифрой 1 обозначена ВАХ, полученная при облучении солнечного элемента кварцевой галогенной лампой мощностью 800 Вт, цифрой 2 ВАХ для лампы мощностью 1000 Вт.
Измерение относительной спектральной чувствительности исследуемого СЭ производилось путем сравнения его фотооткликов с аналогичными параметрами контрольного фотоприемника при попадании на них монохроматического излучения в диапазоне 400…1100 нм с шагом 100 нм.
Результаты измерений параметров СЭ №1 приведены на рисунке 3.
Полученные результаты свидетельствуют о возможности промышленного применения данного измерительного комплекса как при научных исследованиях, так и при массовом производстве СЭ по классической технологии. Дальнейшее совершенствование комплекса позволит также проводить высокоточные контрольно-поверочные испытания.
Напряжение, В
Длина волны, нм
Рисунок 3. Спектральная чувствительность солнечного элемента №1
В.Лисовский,
кандидат технических наук,
доцент.
П. Азизов,
А.Омельчук
БГАТУ,
г. Минск.
Материал подготовлен на основе доклада на Международной научно-технической конференции «Энергосбережение – важнейшее условие инновационного развития АПК», состоявшейся в Минске 24-25 ноября
2011 года.
Новости компаний 21.12.2024
Новости компаний 18.12.2024
Новости компаний 11.12.2024
Новости компаний 09.12.2024
Новости компаний 28.11.2024
Чтобы оставить комментарий или выставить рейтинг, нужно Войти или Зарегистрироваться
Читайте также