—ќЋЌ≈„Ќџ≈ ЁЋ≈ћ≈Ќ“џ ¬ ‘ќ ”—≈ “≈—“»–ќ¬јЌ»я: –≈«”Ћ№“ј“џ –ј«–јЅќ“ »

—ќЋЌ≈„Ќџ≈ ЁЋ≈ћ≈Ќ“џ ¬ ‘ќ ”—≈ “≈—“»–ќ¬јЌ»я: –≈«”Ћ№“ј“џ –ј«–јЅќ“ »

  насто€щему времени наиболее широкое распространение получила технологи€ планарных солнечных элементов, преобразующих пр€мое солнечное излучение.  ¬ св€зи с этим перед специалистами возникает задача по определению спектральных зависимостей и сн€ти€ вольтамперных характеристик функции заданной освещенности.

Ќиже привод€тс€ результаты разработки измерительного комплекса, а также экспериментальные  данные, полученные на его основе солнечных элементовпроизводства —ѕ Ђ—олар-√рупї (г. Ѕрест).

 

точки зрени€ развити€ солнечной фотоэнергетики у Ѕеларуси схожие природно-климатические услови€ с √ерманией, страной, добившейс€ в решении данных проблем лидирующих позиций в ≈вропе. Ќаучные и технологические успехи в области пр€мого генерировани€ электроэнергии на основе солнечных элементов (—Ё) открыли реальную перспективу крупномасштабного применени€ этого практически неисс€каемого источника энергии в нашей республике. ¬ немалой степени этому способствовала государственна€ поддержка в виде установлени€ трехкратных повышающих коэффициентов дл€ использовани€ солнечных энергоисточников.

  насто€щему времени наибольшее распространение получила технологи€ планарных —Ё, преобразующих пр€мое солнечное излучение. Ѕольшие перспективы имеет направление, использующее концентрированное солнечное излучение, а также новейшие  разработки в области создани€ наногетероструктурных —Ё. Ўирокое внедрение фотоэлектрических преобразователей на основе любой из этих технологий невозможно без полного метрологического обеспечени€ производства, поверки и стандартизации.

¬ результате разработки создан измерительный комплекс дл€ исследовани€ спектральных зависимостей и сн€ти€ вольтамперных характеристик (¬ј’) в функции заданной освещенности. “акже на его основе полученны экспериментальные  данные дл€ —Ё производства —ѕ Ђ—олар-√рупї (г. Ѕрест).

ѕринципиальна€ электрическа€ схема блока сн€ти€ ¬ј’, вход€щего в состав измерительного комплекса приведена на рисунке 1.

 Ѕлок сн€ти€ ¬ј’ создан на основе микроконтроллера C8051F120. ”правление осуществл€етс€ с помощью специализированного программного обеспечени€ с ѕ . ”становка позвол€ет регулировать мощность лампы и измер€ть температуру в процессе работы.

ѕостроение ¬ј’ осуществл€етс€ заданием тока с через —Ё цепью, состо€щей из источника опорного напр€жени€, цифро-аналогового преобразовател€, операционного усилител€, полевого транзистора и нагрузочного резистора путем одновременного измерени€ тока и напр€жени€ цифровыми мультиметрами, подключаемыми к блоку сн€ти€ ¬ј’. ѕол€рность подключени€ —Ё выбираетс€ переключением реле. ¬рем€ построени€ ¬ј’ по ста точкам составл€ет менее дес€ти секунд.

–езультаты лабораторных испытаний дл€ —Ё є1 размерами 125х125 мм приведены на рисунке 2.

÷ифрой 1 обозначена ¬ј’, полученна€ при облучении солнечного элемента кварцевой галогенной лампой мощностью 800 ¬т, цифрой 2 ¬ј’ дл€ лампы мощностью 1000 ¬т.

»змерение относительной спектральной чувствительности исследуемого —Ё производилось путем сравнени€ его фотооткликов с аналогичными параметрами контрольного фотоприемника при попадании на них монохроматического излучени€  в диапазоне 400Е1100 нм с шагом 100 нм.

 

–езультаты измерений параметров —Ё є1 приведены на рисунке 3.

ѕолученные результаты свидетельствуют о возможности промышленного применени€ данного измерительного комплекса как при научных исследовани€х, так и при массовом производстве —Ё по классической технологии. ƒальнейшее совершенствование комплекса позволит также проводить высокоточные контрольно-поверочные испытани€.

 

2_.jpg3_.jpg

 

 

ѕодпись: “ок, ј5_.jpg

Ќапр€жение, ¬

–исунок 2.  ¬ольтамперна€ характеристика солнечного элемента є1

 

 

6_.jpg7_.jpg

ƒлина волны, нм

–исунок 3.  —пектральна€ чувствительность солнечного элемента є1

¬.Ћисовский,

кандидат технических наук,

доцент.

ѕ. јзизов,

ј.ќмельчук

 

Ѕ√ј“”,

г. ћинск.

 

ћатериал подготовлен на основе доклада на ћеждународной научно-технической конференции ЂЁнергосбережение Ц важнейшее условие инновационного развити€ јѕ ї, состо€вшейс€ в ћинске 24-25 но€бр€

2011 года.


  • ƒата публикации: 09.01.2012
  • 1513
ќќќ Ђƒ≈Ћќ¬џ≈ —»—“≈ћџ —¬я«»ї
ќтраслевой информационно-аналитический портал, посв€щЄнный энергетике Ѕеларуси. јктуальные новости и событи€. ѕодробна€ информаци€ о компани€х, товары и услуги.
220013
–еспублика Ѕеларусь
ћинск
ул. ул. Ѕ. ’мельницкого, 7, офис 310
+375 (17) 336 15 55 , +375 (25) 694 54 56 , +375 (29) 302 40 02 , +375 (33) 387 08 05
+375 (17) 336 15 56
info@energobelarus.by
ЁнергоЅеларусь

ЁнергоЅеларусь

ЁнергоЅеларусь

ЁнергоЅеларусь

191611654
5
5
1
150
150