Применение УЗИП класса I+II
13.06.2022
К настоящему времени наиболее широкое распространение получила технология планарных солнечных элементов, преобразующих прямое солнечное излучение. В связи с этим перед специалистами возникает задача по определению спектральных зависимостей и снятия вольтамперных характеристик функции заданной освещенности.
Сточки зрения развития солнечной фотоэнергетики у Беларуси схожие природно-климатические условия с Германией, страной, добившейся в решении данных проблем лидирующих позиций в Европе. Научные и технологические успехи в области прямого генерирования электроэнергии на основе солнечных элементов (СЭ) открыли реальную перспективу крупномасштабного применения этого практически неиссякаемого источника энергии в нашей республике. В немалой степени этому способствовала государственная поддержка в виде установления трехкратных повышающих коэффициентов для использования солнечных энергоисточников.
Принципиальная электрическая схема блока снятия ВАХ, входящего в состав измерительного комплекса приведена на рисунке 1.
Блок снятия ВАХ создан на основе микроконтроллера C8051F120. Управление осуществляется с помощью специализированного программного обеспечения с ПК. Установка позволяет регулировать мощность лампы и измерять температуру в процессе работы.
Построение ВАХ осуществляется заданием тока с через СЭ цепью, состоящей из источника опорного напряжения, цифро-аналогового преобразователя, операционного усилителя, полевого транзистора и нагрузочного резистора путем одновременного измерения тока и напряжения цифровыми мультиметрами, подключаемыми к блоку снятия ВАХ. Полярность подключения СЭ выбирается переключением реле. Время построения ВАХ по ста точкам составляет менее десяти секунд.
Результаты лабораторных испытаний для СЭ №1 размерами 125х125 мм приведены на рисунке 2.
Цифрой 1 обозначена ВАХ, полученная при облучении солнечного элемента кварцевой галогенной лампой мощностью 800 Вт, цифрой 2 ВАХ для лампы мощностью 1000 Вт.
Измерение относительной спектральной чувствительности исследуемого СЭ производилось путем сравнения его фотооткликов с аналогичными параметрами контрольного фотоприемника при попадании на них монохроматического излучения в диапазоне 400…1100 нм с шагом 100 нм.
Результаты измерений параметров СЭ №1 приведены на рисунке 3.
Полученные результаты свидетельствуют о возможности промышленного применения данного измерительного комплекса как при научных исследованиях, так и при массовом производстве СЭ по классической технологии. Дальнейшее совершенствование комплекса позволит также проводить высокоточные контрольно-поверочные испытания.
Напряжение, В
Длина волны, нм
Рисунок 3. Спектральная чувствительность солнечного элемента №1
В.Лисовский,
кандидат технических наук,
доцент.
П. Азизов,
А.Омельчук
БГАТУ,
г. Минск.
Материал подготовлен на основе доклада на Международной научно-технической конференции «Энергосбережение – важнейшее условие инновационного развития АПК», состоявшейся в Минске 24-25 ноября
2011 года.
Тема дня 10.10.2024
Новости компаний 09.10.2024
Тема дня 02.10.2024
Новости компаний 30.09.2024
Новости компаний 01.10.2018
Традиционная энергетика 01.09.2024
Технологии 02.10.2021
Чтобы оставить комментарий или выставить рейтинг, нужно Войти или Зарегистрироваться
Читайте также